© Александр Шмидт, 08.03.2006

Параллельный Монте-Карло: эпитаксиальный рост кристаллов

«Идеальное» моделирование эпитаксиального роста методом Монте-Карло

Введение и постановка задачи

Дан краткий обзор основных причин, стимулирующих применение методов компьютерного моделирования и, прежде всего, метода Монте-Карло, для исследования эпитаксиального роста в современной полупроводниковой технологии. Сформулированы основные требования к алгоритму моделирования. Продолжить...

Схемы моделирования

Постановка задачи: существует множество процессов, которые в природе происходят все одновременно. В моделировании мы их осуществляем по очереди. Причем вероятность того, что на данном шагу будет осуществлен какой-то конкретный процесс, пропорциональна его частоте, которая определяется происходящими физическими процессами в соответствии с выбранной физической моделью. При этом очевидно, что из-за происходящих процессов вероятности всех остальных могут сильно меняться. Обычно изменения касаются только некоторой ограниченной области пространства вблизи места, где произошел процесс, однако в некоторых случаях (например, если учитываются упругие напряжения в растущей структуре или другие эффекты дальнодействия).

Как выбирать процесс

Здесь описаны основные схемы выбора случайного процесса, который должен быть выбран на данном шагу моделирования. Продолжить...

Оптимизация выбора процесса

Описаны основные способы ускорения алгоритма выбора процесса в методе Монте-Карло. Продолжить...

(8 марта 2006 г.)